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半桥驱动器

方案概述 应用框图

方案概述

      专门用于高电压、快速的功率 MOS 和 IGBT 驱动器,具有高端和低端两个通道。逻辑输入端可 以匹配标准的 CMOS 和 LSTTL 输出端口。高端浮地通道可以直接驱动工作电压达到 550V 的 N 型 MOS 管和 IGBT。非常适用于LLC半桥,传统半桥等电路。

应用框图

方案概述

      专门用于高电压、快速的功率 MOS 和 IGBT 驱动器,具有高端和低端两个通道。逻辑输入端可 以匹配标准的 CMOS 和 LSTTL 输出端口。高端浮地通道可以直接驱动工作电压达到 550V 的 N 型 MOS 管和 IGBT。非常适用于LLC半桥,传统半桥等电路。

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